东芝发布150V N沟道功率MOSF芒果体育ET具有业界领先的[1]低导通电阻和改进的反向恢复特性有助于提高电源效率

2023-04-02 08:11:39

　　日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会（“东芝”）推出了一款150V N沟道功率MOSFET “TPH9R00CQ5”。该产品采用最新一代[2]U-MOSX-H工艺，可用于工业设芒果体育备开关电源，如数据中心和通信基站使用的电源。产品即日起开始出货。

　　TPH9R00CQ5具有业界领先的[1]9.0mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与东芝现有产品“TPH9R00CQH[4]”相比，反向恢复电荷降低了约74%，反向恢复[5]时间缩短了约44%，这都是同步整流应用所需的关键反向恢复特性。在同步整流应用[6]中，新产品可降低开关电源的功率损耗，提高效率。此外，与TPH9R00CQH相比芒果体育，新产品降低了开关期间产生的尖峰电压，有助于减少电源的电磁干扰。该产品采用通用的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

　　东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型现在也已上市。

　　东芝还开发了采用新产品的“用于电信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC 转换器”和“采用MOSFET的三相多电平逆变器”参考设计。这些设计即日起在东芝官网上线。新产品还可用于已经发布的“1kW全桥DC-DC 转换器”参考设计。

　　东芝将继续扩大功率MOSFET产品阵容，以减少功率损耗，提高电源效率和帮助改善设备效率。

　　注释：[1] 截至2023年3月。与其他150V产品比较。东芝调查。[2] 截至2023年3月。[3] 使用现有生成工艺U-MOSVIII-H的150V产品[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生成工艺，并具有相同的电压和导通电阻[5] MOSFET主体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。[6] 如果新产品用于不进行反向恢复操作的电路，则功率损失相当于TPH9R00CQH的水平。

　　点击下面的链接，了解更多关于新产品的相关内容。U-MOSX-H系列150V MOSFET是高效开关电源的理想之选通过搭载150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率

　　* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。* 本新闻稿中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在发布之日为最新信息。之后如有变更，恕不另行通知。

　　东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。公司在全球各地的2.3万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过8,500亿日元（75亿美元）的年度销售额基础上再接再厉芒果体育，为全人类创造更加美好的未来。如需了解更多信息，请访问：

　　免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

　　媒体咨询：Chiaki Nagasawa数字营销部东芝电子元件及储存装置株式会社邮件：jp

　　东芝：150V N沟道功率MOSFET TPH9R00CQ5有助于提高电源效率。（图示：美国商业资讯）